在全球半导体领域的竞争中，长江存储实现了技术上的重大突破，这一成就犹如一颗重磅炸弹，引起了业界的广泛关注。无论是闪存层数的领先，还是专利技术的广泛应用，长江存储正逐渐改变着整个行业的面貌。
长江存储出货突破
上月传来喜讯，长江存储推出了第五代3D TLC NAND闪存。这款产品非同小可，达到了294层，232个活跃层。这一成就使得长江存储将存储密度推向了行业尖端，垂直栅密度更是达到了顶峰，在当前商业产品中独占鳌头。它无疑成为了全球NAND闪存市场的强劲对手，为国产闪存赢得了荣誉。
长江存储的这项成就并非轻易得来，它背后是研发团队不懈的辛勤付出。在攻克技术的道路上，他们遭遇了重重困难，但都逐一克服。现在，他们成功推出产品，使得长江存储在全球闪存领域占据了更有利的地位。
三星合作计划
据消息，三星计划从第10代V-NAND闪存起，应用长江存储的专利混合键合技术。他们的目标相当宏大，预计到2025年下半年，将能批量生产第10代V-NAND闪存，其层数预计在420层到430层之间。这无疑是对长江存储技术的高度评价。
三星，作为半导体领域的领军企业，往日鲜少借助他人技术。然而，此次与长江存储携手，正是洞察到自身技术发展遭遇的难题，以及长江存储技术所展现的强大优势。这一举动表明，长江存储的技术正逐步赢得国际大厂的信赖，未来有望迎来更多合作机会。
SK海力士传闻
三星之外，有消息说SK海力士正与长江存储商讨专利合作。这反映出长江存储的技术影响力在不断增强，不少企业对其技术实力表示关注，并期望通过合作增强自身产品的竞争力。
SK海力士若与长江存储携手，对二者皆是利好。SK海力士能获取前沿技术，长江存储则能在业内地位更上一层楼，助力国内技术拓展更宽广的市场空间。
晶栈架构起源
四年前左右，长江存储首次将“晶栈架构”的混合键合技术用于3D NAND闪存。自此，它开始逐步构建起一个庞大的专利库。这项技术起初犹如微弱的火苗，但在长江存储的持续深入研究下，逐渐演变成了一股能够重塑行业格局的强大力量。
长江存储得益于“晶栈架构”的运用，在技术上取得了领先，这也使得它在研发和市场角逐中处于优势。专利组合的持续优化，让长江存储在闪存技术领域的发言权日益增强。
三星技术痛点
三星之前在NAND闪存上使用的是COP架构，将外围电路集成在一块晶圆上，然后在其上堆叠单元。然而，这种设计存在缺陷，尤其是当层数超过400层后，底层电路承受的压力增大，从而影响了产品的稳定性。这一问题成为了三星技术进步的一大难题。
技术难题面前，三星迫切需要新的解决途径。长江存储的混合键合技术，正巧为三星指明了一条突破之路，这亦是三星决定与长江存储携手合作的关键所在。
混合键合专利
目前，Xperi、长江存储以及台积电掌握了大量混合键合技术的专利权。面对三星即将推出的第11代和第12代V-NAND闪存，若不借助长江存储的专利，将难以实现。这一局面迫使三星不得不寻求合作。
拥有专利即代表在技术方面处于领先地位并拥有发言权。长江存储公司经过持续的研发与革新，在混合键合技术这一领域取得了重大突破，这不仅增强了其在行业竞争中的优势，还为整个行业的技术发展做出了贡献。
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